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美国TSI QUAL-DEP资格污染标准
TSI QUAL-DEP资格污染标准
QUAL-DEP资格污染标准产品介绍： 来自 TSI 分部 MSP 的 Qual-Dep资格污染标准是特定于工具的标准，可验证性能、降低验收风险并帮助匹配/对齐检测系统。 合格缺陷检测设备 使用 Qual-DepQualification Wafer and Reticle Contamination Standards 在半导体晶圆厂安装期间验证检测工具的性能，以确认工具的性能符合规范，从而促进客户的快速验收。这些针对晶圆和掩模版检测工具的认证标准专供每位客户使用，从而简化了采购流程并提供批量定价。 制造电子设备 使用 Qual-D
型号：QUAL-DEP资格污染标准
品牌：TSI
QUAL-DEP资格污染标准产品介绍：
来自 TSI 分部 MSP 的 Qual-Dep资格污染标准是特定于工具的标准，可验证性能、降低验收风险并帮助匹配/对齐检测系统。
合格缺陷检测设备
使用 Qual-DepQualification Wafer and Reticle Contamination Standards 在半导体晶圆厂安装期间验证检测工具的性能，以确认工具的性能符合规范，从而促进客户的快速验收。这些针对晶圆和掩模版检测工具的认证标准专供每位客户使用，从而简化了采购流程并提供批量定价。
制造电子设备
使用 Qual-DepQualification Wafer and Reticle Contamination Standards 定期检查检测工具的性能支持您的制造操作的统计过程控制 (SPC)。MSP 的粒子沉积一致性允许您使用多种污染标准来可靠地匹配单个晶圆厂内的检测/计量工具之间以及多个晶圆厂之间的全局性能。
QUAL-DEP资格污染标准规格：
三层包裹单晶圆托运人Qual-Dep认证污染标准是根据客户规范构建的，通常是在使用Dev-Dep™ 开发污染标准开发工具或流程之后。可用于 Dev-Dep™ 开发污染标准的相同可定制属性也可用于在您选择的基材上进行的每个沉积：
存款模式类型
存款规模和头寸
颗粒材料
粒径
粒子数
基材
可以在各种基材上进行沉积，包括晶片、光罩（光掩模）、薄膜和圆盘。客户通常会提供他们选择的掩模版，但 MSP 也提供光学光掩模坯。MSP 通常提供用于沉积的裸硅晶片，但也会处理客户提供的具有薄膜、图案或其他专有规格的晶片。
晶圆或光罩污染标准基础项目
Qual-Dep认证污染标准（基础项目）由晶圆或掩模版上的一个沉积物（采用三层包装）和每个粒径标准的完整文档（沉积摘要、合格证书、校准证书）组成。
见证晶圆
为了验证任何晶圆或掩模版沉积工艺（200 毫米或 300 毫米硅晶圆除外），MSP 首先使用相同的沉积配方在“见证晶圆”上沉积颗粒。Witness 晶圆（200 毫米或 300 毫米）使用灵敏度约为 35 纳米的扫描表面检测系统 (SSIS) (KLA Surfscan SP2) 进行检测。每个 Witness Wafer 都带有沉积摘要，其中包括 SSIS 检查结果（仅报告）。可以将 Witness Wafer 运送给客户（报告和运送），但需要支付额外费用。
对于小于 80 纳米（PSL 光散射等效值）的颗粒，建议使用 300 毫米见证晶圆，因为 300 毫米晶圆通常在小尺寸时具有较低的背景计数，并且比 200 毫米晶圆提供更好的检测信噪比。对于更大的颗粒尺寸，200 毫米的晶圆更具成本效益。
晶圆检测
MSP 使用灵敏度约为 35 nm 的扫描表面检测系统 (SSIS) (KLA Surfscan SP2) 检测 200 毫米或 300 毫米裸硅见证晶片的颗粒。随标线片污染标准一起提供的沉积摘要中提供了检查结果，包括带有粒度信息和每个沉积的近似计数的扫描图像。
QUAL-DEP资格污染标准特点与优势：
Qual-Dep资格污染标准为设备供应商和晶圆厂提供了其他标准所不具备的几个主要优势。
排他性
Qual-Dep资格污染标准作为具有专用部件号的独家商品出售，简化了采购流程并确保从订单到订单的规格一致。